智通财经获悉，东吴证券发布研报称，当前算力需求爆发叠加外部对HBM在带宽等环节的管制，正加速刺激国产HBM的突破和供应。国产存储大客户HBM3已通过验证，底层DDR5颗粒制造能力达标，预计下半年实现量产突破，相关设备厂商已陆续获得TCB、CMP等环节订单。设备环节推荐受益较多的精智达 (688627.SH)，其订单弹性最大。

hbm3的底层存储颗粒具备量产条件。 且已经有部分设备公司拿到了HBM相关的TCB和CMP等订单，国产HBM扩产的确定性在快速加强。 测试机、键合解键合 ...

hbm3的底层存储颗粒具备量产条件。 且已经有部分设备公司拿到了HBM相关的TCB和CMP等订单，国产HBM扩产的确定性在快速加强。 测试机、键合解键合 ...

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半导体存储技术的演进已进入纳米级精度竞赛阶段，美光1β制程DRAM颗粒通过三项核心技术突破确立了行业标杆。 ... 美光与台积电合作开发的CoWoS封装方案，使1β颗粒能直接与4nm逻辑芯片集成，HBM3内存堆栈带宽突破1TB/s。

日前，合见工软作为中国数字EDA/IP龙头企业在上海召开了“2025合见工软新产品发布会暨技术研讨会”，会上展示了下一代国产EDA技术的重大革新进展，并正式发布了多款国产自主自研EDA及IP产品，助力我国自研EDA和IP产品从国产化替代到国际标杆技术 ...

日前，国产EDA/IP企业合见工软在上海召开了“2025合见工软新产品发布会暨技术研讨会”，展示了下一代国产EDA技术的重大革新进展，并正式发布了多款国产自研EDA及IP产品，包括数字验证下一代硬件产品，全国产自主知识产权高速接口IP解决方案等。

合见工软提供高性能自研 hbm3/e ip控制器和phy整体解决方案，控制器支持超低的读写延迟可以 ... 自研hbm3/e控制器和phy，广泛支持业界的各种颗粒 ...

据报道，我国磁悬浮技术取得了新的突破。由湖北东湖实验室自主研发的“一公里高速磁悬浮测试线”近日进行了首次公开演示。科研人员通过悬浮支撑和电磁推进的方式，成功在1000米距离内将1.1吨重试验车加速至650公里/小时，打破同类型平台的全球纪录。测试车零百加速小于1秒，仅用7.1秒就从静止加速到每小时650公里。

中原证券认为，近年来外部环境对中国半导体产业限制不断加剧，随着美国“对等关税”政策落地，美国半导体出口管制持续升级，半导体产业链卡脖子核心环节自主可控需求仍然迫切，国产替代有望加速推进。

长鑫存储已低调量产并出货 ddr5 颗粒，并正在开发下一代 15nm 制程工艺，目标是在今年内完成开发，并在明年下半年实现量产商业化。 网传 长鑫存储 正在开发 hbm3 ， 突破细分技术封锁，服务 hpc和ai行业。

在去年底，长鑫存储就开始低调量产并出货DDR5颗粒，同时正在开发下一代15nm制程工艺，目标是在今年内完成开发，并在明年下半年实现量产商业化。